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據(jù)韓國媒體Elec報道，三星將加快3D NAND的堆疊進程，正在討論將預(yù)計2025—2026年量產(chǎn)的第十代V—NAND的堆疊層數(shù)躍升至430層。

三星此前宣布，將在2030年前開發(fā)1000層V—NAND閃存與此同時，下一代V—NAND路線圖的輪廓也逐漸浮出水面

據(jù)報道，三星計劃在2024年量產(chǎn)的第九代V—NAND將在280層3D NAND的范圍內(nèi)對于預(yù)定2025—2026年量產(chǎn)的第十代V—NAND，三星正在討論跳過300層，直接上430層

分析稱，具體工作正在按照2030年開發(fā)1000層V—NAND的目標(biāo)一步步推進人們還觀察到，三星總裁李在镕強調(diào)的超級差距戰(zhàn)略的實施速度正在加快

此外，據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，三星已經(jīng)擬定了九代，十代等V—NAND單元數(shù)量的大致路線圖，正在多角度開發(fā)產(chǎn)品。

本站了解到，V—NAND是三星在2013年發(fā)起的一種閃存技術(shù)，通過在垂直堆疊的平面層的三維空間中鉆孔來連接每一層。

2013年出現(xiàn)的第一代V—NAND有24層此后又陸續(xù)推出了第二代32層，第三代48層，第四代64層，第五代92層，第六代128層，第七代176層每一代都經(jīng)歷了大約一年到一年零六個月的量產(chǎn)

三星宣布2022年11月量產(chǎn)第八代V—NAND，堆疊層數(shù)為236層據(jù)報道，第八代V—NAND可以提供1Tb的解決方案三星電子沒有透露IC的尺寸和實際密度，但他們稱之為業(yè)界最高的位密度